消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

韩媒ZDNET Korea称，三星电子正在开发针对人工智能负载优化的zNAND-T与zNAND-I闪存。zNAND-T代表吞吐量，类似闪迪和SK海力士提出的HBF概念，采用TSV堆叠NAND Die优化数据中心AI半导体读写带宽；zNAND-I象征IOPS，强调少量数据频繁读写，KV Cache卸载即属此类场景。