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三星电子开发zNAND-T与zNAND-I闪存
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报道摘要
韩媒ZDNET Korea称，三星电子正在开发针对人工智能负载优化的zNAND-T与zNAND-I闪存。zNAND-T代表吞吐量，类似闪迪和SK海力士提出的HBF概念，采用TSV堆叠NAND Die优化数据中心AI半导体读写带宽；zNAND-I象征IOPS，强调少量数据频繁读写，KV Cache卸载即属此类场景。
摘自 IT之家·人工智能
报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家·人工智能消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
韩媒ZDNET Korea称，三星电子正在开发针对人工智能负载优化的zNAND-T与zNAND-I闪存。zNAND-T代表吞吐量，类似闪迪和SK海力士提出的HBF概念，采用TSV堆叠NAND Die优化数据中心AI半导体读写带宽；zNAND-I象征IOPS，强调少量数据频繁读写，KV Cache卸载即属此类场景。
本事件热度走势
当前热度 8·可比范围峰值 8（10月12日 16:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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